【48812】用二极管整流的正激变换器简介

  这些技能都是要使变压器磁化电流在主开关Q1关断时复位。办法及磁化电流起伏复位是不同的。经过谐振电容的反向磁化电流起伏开端要等于Q1的Coss加上DF的结电容。该负向值要等于峰峰磁化电流的一半。R-C-D箝位与之十分类似，除非它是箝制电压，其能驱动变压器的反向磁化电流。

  因而，在R-C-D箝制中，磁化电流将在正、负峰值之间循环，而不必让其磁化电流一半的峰-峰值持平。传统的第三绕组复位技能，磁化电流首先由其复位到0，但在磁化电感及Q1的Coss之间的谐振将驱动磁化电流的反向，该反向的磁化电流将在同步整流作业于正激拓扑时起到重要作用。

  在R-C-D箝位的正激变换器中，初级MOSFET Q1的源漏电压波形及变压器磁化电流波形示于图3。

  两个时段内的实践状况让我们感兴趣。第一个时段从t1到t2，此刻变压器漏感与初级侧的电容谐振。其次时段从t5到t0。

  在t1初级MOSFET漏电压到达输入电压。在此刻，二次侧电流流过正向二极管DF，并且变压器初级及次级绕组两者都是0电压。t1之后，回流DR开端导通流过电流，且DF中的电流开端减小，所以整个流过两二极管的电流等于电感电流，跟着DR开端流过电流，变压器二次侧因两二极管都导通而短路。因其二次侧绕组短路，在变压器漏感与初级侧电容谐振期间，其磁化电流是稳定的。因为此谐振，变压器初级电流从磁化电流的峰值加上折算的电感电流减小至磁化电流峰值。二次侧电流从峰值电感电流减至基本上为零。因为初次级电流在谐振期间的改变，在初级侧MOSFET漏电压上看起来，好像电流从DF转至DR在半个谐振期间完结。在t2时间DF上的电压开端谐振，而DF则被反向偏置。换种办法说，整流器之间的电流传输是由整个变换器的漏感及初级电容操控的。由二次侧来看，这就在初级边的栅驱动信号及跨过DF的谐振电压之间增加了一个推迟。

  具体研究一下从t5~t0的时间距离是很重要的。尤其是在正激拓扑中运用同步整流时，正如前面所述，变压器在此刻刻有一个负向磁化电流，也即电流从图1中打点端子处流出。辨认这一点，即初级侧此电流不能流出，而磁化电流就必须在二次侧经过DF流出。在t5时，初级侧开关漏电压已谐振到输入线路电压值，并被正向二极管箝制，可流过磁化电流。因而，正向二极管导流磁化电路，在此重视的时间距离内，直到初级侧MOSFET在t0时再次导通。

  初级侧MOSFET漏极电压及变压器磁化电流的试验波形示于图4。图5展示出变压器初级，次极电流波形与初级MOSFE源漏电压波形。

  图4 一次MOS漏源电压与变压器磁化电流 图5MOS漏源电压和一、二次侧电流

  在Q1开端导通之前，电感电流一般系经DR流过，其结电容贮存充电电荷，因为该电荷不能当即移去，因而阳极到阴极的电压仍将在Q1导通时相同存留，输入电压加在变压器漏感上，并且DR中电流会削减，削减速率取决于输入电压及漏感值。输入电压起伏及变压器漏感决议了DR中的DI/DT因而，也就决议了DR的反向恢复时间。DR中贮存电荷移去之后，变压器漏感与DR的结电容谐振。

  正向二极管也表现出反向恢复特性，这呈现在图3中的t2时间，电流从DF传至DR之后当即呈现。如前期评论的，DF及DR中的DI/DT系由变压器漏感与初级侧电容所决议。因为正向二极管DF中电流会衰减到0。所以DI/DT起伏会减小，这使得DF的反向恢复损耗少于DR的损耗，肖特基二极管天然具有极好的反向恢复特性。且当其用于DF时，反向恢复将不必给予考虑，可是当用了MOSFET放于DR及DF处时，其体二极管的低劣的反向恢复特性就会变得很明显。